華碩Prime B350-Plus 主板Bios設置|華碩主板重裝前設置Bios方法
- 2019-09-10 10:57:40 分類：教程
除了組裝電腦的Bios需要設置以外，一般電腦在出廠前廠家就已經設置好Bios，所以普通用戶接觸這個功能不多，甚至在電腦沒有什么問題的情況下，Bios也是可以不用升級和設置的。但是有一種情況，就是重裝系統，需要設置Bios，這篇文章是白云一鍵重裝系統選取了華碩Prime B350-Plus 主板，給大家用圖文的方法展示一下Bios設置，由于華碩主板的型號不斷更新換代，自帶的Bios也會不斷更新，因此這篇文章的Bios界面僅供參考，尤其是一些華碩老主板，Bios界面是不一樣的。
1、開機或重啟，也就是在出現華碩Logo的時候，通常屏幕底部會提示按什么將進入Bios設置，一般是Del、Delete或F2進入華碩主板的UEFI Bios設置，默認的初始界面為：EZ Mode，也可以在設置中修改默認為：Advanced Mode。EZ Mode界面能顯示主板信息，Bios版本，處理器、內存、硬盤、風扇等信息，右上角EZ系統調整可在一般、高性能和節能這三項中快速配置系統；
2、按下F7快捷鍵，可以在 EZ Mode 和 Advanced Mode 之間切換，這里主要顯示的是一些系統基礎信息，唯一可以修改的設置只有Bios語言；
3、使用方向鍵或鼠標切換到 Ai Tweaker 項；
4、AI 超頻調整有自動和DOCP二項選擇，選擇DOCP時，Bios會自動閱讀內存的XMP文件，并自動根據XMP設定來設置內存頻率、時序和電壓等選項。內存XMP文件可能會有1-2項甚至更多的頻率設置，大家注意選擇。AI超頻設置選擇自動時，內存頻率、時序和電壓大多就需要手動設置了。
Custom CPU Core Ratio自定義CPU核心倍頻，有自動和手動二個選擇。自動模式下，只需要在下方CPU Core Ratio處將倍頻Auto值修改為你所需要的倍頻數字就可以了。
CPU理論頻率=倍頻*外頻，外頻默認值為100MHz。所以你需要設定你的CPU為3.8GHz時，倍頻值應輸入38.00。倍頻值每步進為0.25。
手動模式下，玩家需要手動輸入FID和DID值。倍頻=FID*2/DID，一般DID值為8，當你需要設置3.8GHz的CPU頻率時，FID值應為152。
EPU節能模式，有開啟和關閉二個選擇。華碩的EPU節能模式類同于AMD Cool@Quiet冷又靜，一般超頻情況下應予以關閉。
OC調節，有OC Tuner和Keep Current Settings二個選擇。OC Tuner模式與EZ Mode下選擇高性能一樣，Bios會自動超頻你的CPU，一般手動超頻應選擇Keep Current Settings。
Performance Bias，華碩跑分作弊選項。正常情況下默認自動即可。
5、設置調整了CPU倍頻后，需要設置合理的電壓給CPU。
B350-Plus主板的VDDCR CPU電壓設置只有Auto或Offset Mode二種選擇。Auto自動電壓下，CPU電壓將由Bios根據情況自動調整。
Offset Mode補償模式下，將在CPU的基礎電壓基礎上以“+”或“-”的方式進行電壓偏移補償。基礎電壓各類Ryzen CPU均可能不同，1800X/1700X的基礎電壓為1.35V，1700的基礎電壓為1.1875V。
偏移電壓值每步進為0.00625mV，可以用小鍵盤+/-進行調整，或直接輸入正確的數值。
VDDCR SOC Voltage的設置方式與VDDCR CPU電壓相同，可選擇Auto或Offset Mode。DRAM內存電壓，一般內存在2800MHz頻率以下（不包括2800MHz）時，內存電壓1.2V即可滿足要求；在2800MHz以上時，內存電壓應設置在1.35V以上，以確保內存可以正常運行，但一般不宜超過1.5V。內存電壓設置步進為0.005V，同樣可用小鍵盤+/-進行調整，或直接輸入正確的數值。
6、AI Tweaker界面將光標移動到DIGI+ VRM子菜單處，按回車或直接鼠標點擊，進入華碩的數字供電模塊設置界面：
DIGI+ VRM界面以供電尤其是防掉壓設置為主。
Load-Line校正是CPU防掉壓設置，有自動/一般/中等/高/極致5個選項。
自動情況下加壓情況略等于或略小于一般模式。我設置在1.3V電壓時，自動和一般模式下烤機下在1.308-1.319V波動。中等/高/極致將在前一級防掉壓基礎上各增加10-12mV電壓，有興趣的玩家可以自己測試一下。
VDDCR SOC Load Line Calibration【SOC防掉壓】有自動/一般/高/極致4個選項。我設置在0.95V電壓時，自動模式下SOC電壓在0.938/0.944/0.950三個數字之間波動，一般模式上比自動模式提高約6mV。
VDDCR CPU供電相位控制，有優化和極致二個選項。優化模式下，供電由華碩Bios自動優化并達到節能的目的；極致模式下，所有供電相位均衡輸出。建議在超頻情況下選擇極致模式。
VDDCR CPU供電相位切換頻率，B350Plus只有200和300二個選擇，不能輸入更高的值。一般建議超頻情況下，采用更高的切換頻率以提高超頻穩定性。
7、在AI Tweaker界面將光標移動到內存時序控制子菜單處，按回車或直接鼠標點擊，進入內存時序設置界面：
3803之前Bios版本時，第一項為內存失敗重啟次數。3803版本開始，該子項被調整到內存時序控制最后面的位置。
內存時序控制從上到下的tCL-tRCDRD-tRCDWR-tRP-tRAS-tRC為第一時序。華碩Prime B350-Plus主板不接受奇數值的tCL值，設置tCL15時，Bios和操作系統將最終會識別為tCL16。
第一時序有二個設定小原則：tRAS不得小于tCL與tRCD之和，一般經驗是在tCL與tRCD之和的基礎加上0~2；tRC不得小于tRP與tRAS之和，一般經驗是在tRP與tRAS之和的基礎上加上1-3。例如我使用的16-19-19-36-59，或者某雞的14-14-14-28-43。
下面的tRRDS開始屬于第二時序，在B350Plus主板上，tRRDS和TRRDL可以使用主板自動值，或者在自動值上減1使用；tFAW可以使用主板自動值，或者根據內存體質適當縮減，但不得小于tRRDS的4倍值。
8、tWTRS、tWTRL、tWR可以使用主板默認值，或者適當縮減。理論上tWR縮減至tWTRL相同值時，內存性能有所提高，但體質較差的內存為確保穩定性時，tWR建議使用主板默認值。
tRCPage自動即可，一般默認為0。
tRDRD SCL和tWRWR SCL這二個值對內存讀寫性能影響非常大，增加或減少1個數字都可以有5~10%的讀寫帶寬性能損失或提高。一般在確保內存穩定性的前提下，大多內存這二個值可以在3333頻率以下壓縮到4，B-Die之流的可以壓縮到2。
tRFC/2/4可以在主板默認的基礎上適當壓縮以略微提高內存帶寬，但壓縮過度時會造成開機多啟甚至無法啟動。tRFC、tRFC2、tRFC4在大多情況下是35：26：16的比例，具體可以查看內存信息確定。貌似tRFC2/4對AM4主板并無作用。
tCWL開始應為第三時序，tCWL在一般經驗上的做法是等同于tCL或在tCL基礎上減1。tRTP直接使用主板默認值。
tRDWR一般設置為6或7，后面的第三時序參數在3333頻率以下大多內存可以直接使用上圖的值，除了tCKE。一般內存體質較好的，tCKE應盡可能設置為1，體質較弱的自行提高tCKE值，以過MT測試300%以上無錯誤為準。
9、貌似在AM4平臺上，指令比率Command Rate設為1T或2T對穩定性并無太多影響，但設為1T時，內存性能比在2T下還是有一定幅度的提升。
若設為2T系統更穩定的，應先將Gear Down Mode設置為Enabled，否則將無法將CR設置成2T。
Power Down Enabled應為內存的節能選項，關閉即可。
因本人對ProcDOT，Rtt終端電阻等沒研究，所以這里也不多說了，個人習慣這些都扔在自動上。從網上流傳的一些說法，這些阻值的設定，在3803Bios以前和3803時并不一樣，具體有什么影響，可能因為主板、U、內存的個體不同都不會一樣。
Mem Over Clock Faile Count”內存超頻失敗重啟次數“，前面提過這個Bios參數，3803Bios以前這個參數在內存時序控制第一個，3803以后就跑到這個位置了。
3803版本Bios開始，內存時序控制增加了CLDO_VDDP Voltage設置，Bios里可設置的最小值為700mV，最大我曾經設置到985mV，具體最高限值是多少不太了解了。
據傳，該參數需要冷啟動方可生效，但在內存跑MT測試時出現偶爾錯誤時，調整一個合適的CLDO_VDDP Voltage值將會有奇效。不同U和內存可能這個合適的值都不一樣，需要玩家一點點的測試。按照AMD內部人員的說法是，提高這個電壓對穩定性有幫助，但按照Overclock論壇的說法，700mV的下限可能都嫌高，625-630mV才是最適合的。
以下還有高級、監控、啟動、工具設置，大家根據需求設置即可，如果這篇文章的方法能幫到你，那就收藏白云一鍵重裝系統網站，在這里會不定期給大家分享常用裝機故障解決方法。
1、開機或重啟，也就是在出現華碩Logo的時候，通常屏幕底部會提示按什么將進入Bios設置，一般是Del、Delete或F2進入華碩主板的UEFI Bios設置，默認的初始界面為：EZ Mode，也可以在設置中修改默認為：Advanced Mode。EZ Mode界面能顯示主板信息，Bios版本，處理器、內存、硬盤、風扇等信息，右上角EZ系統調整可在一般、高性能和節能這三項中快速配置系統；
2、按下F7快捷鍵，可以在 EZ Mode 和 Advanced Mode 之間切換，這里主要顯示的是一些系統基礎信息，唯一可以修改的設置只有Bios語言；
3、使用方向鍵或鼠標切換到 Ai Tweaker 項；
4、AI 超頻調整有自動和DOCP二項選擇，選擇DOCP時，Bios會自動閱讀內存的XMP文件，并自動根據XMP設定來設置內存頻率、時序和電壓等選項。內存XMP文件可能會有1-2項甚至更多的頻率設置，大家注意選擇。AI超頻設置選擇自動時，內存頻率、時序和電壓大多就需要手動設置了。
Custom CPU Core Ratio自定義CPU核心倍頻，有自動和手動二個選擇。自動模式下，只需要在下方CPU Core Ratio處將倍頻Auto值修改為你所需要的倍頻數字就可以了。
CPU理論頻率=倍頻*外頻，外頻默認值為100MHz。所以你需要設定你的CPU為3.8GHz時，倍頻值應輸入38.00。倍頻值每步進為0.25。
手動模式下，玩家需要手動輸入FID和DID值。倍頻=FID*2/DID，一般DID值為8，當你需要設置3.8GHz的CPU頻率時，FID值應為152。
EPU節能模式，有開啟和關閉二個選擇。華碩的EPU節能模式類同于AMD Cool@Quiet冷又靜，一般超頻情況下應予以關閉。
OC調節，有OC Tuner和Keep Current Settings二個選擇。OC Tuner模式與EZ Mode下選擇高性能一樣，Bios會自動超頻你的CPU，一般手動超頻應選擇Keep Current Settings。
Performance Bias，華碩跑分作弊選項。正常情況下默認自動即可。
5、設置調整了CPU倍頻后，需要設置合理的電壓給CPU。
B350-Plus主板的VDDCR CPU電壓設置只有Auto或Offset Mode二種選擇。Auto自動電壓下，CPU電壓將由Bios根據情況自動調整。
Offset Mode補償模式下，將在CPU的基礎電壓基礎上以“+”或“-”的方式進行電壓偏移補償。基礎電壓各類Ryzen CPU均可能不同，1800X/1700X的基礎電壓為1.35V，1700的基礎電壓為1.1875V。
偏移電壓值每步進為0.00625mV，可以用小鍵盤+/-進行調整，或直接輸入正確的數值。
VDDCR SOC Voltage的設置方式與VDDCR CPU電壓相同，可選擇Auto或Offset Mode。DRAM內存電壓，一般內存在2800MHz頻率以下（不包括2800MHz）時，內存電壓1.2V即可滿足要求；在2800MHz以上時，內存電壓應設置在1.35V以上，以確保內存可以正常運行，但一般不宜超過1.5V。內存電壓設置步進為0.005V，同樣可用小鍵盤+/-進行調整，或直接輸入正確的數值。
6、AI Tweaker界面將光標移動到DIGI+ VRM子菜單處，按回車或直接鼠標點擊，進入華碩的數字供電模塊設置界面：
DIGI+ VRM界面以供電尤其是防掉壓設置為主。
Load-Line校正是CPU防掉壓設置，有自動/一般/中等/高/極致5個選項。
自動情況下加壓情況略等于或略小于一般模式。我設置在1.3V電壓時，自動和一般模式下烤機下在1.308-1.319V波動。中等/高/極致將在前一級防掉壓基礎上各增加10-12mV電壓，有興趣的玩家可以自己測試一下。
VDDCR SOC Load Line Calibration【SOC防掉壓】有自動/一般/高/極致4個選項。我設置在0.95V電壓時，自動模式下SOC電壓在0.938/0.944/0.950三個數字之間波動，一般模式上比自動模式提高約6mV。
VDDCR CPU供電相位控制，有優化和極致二個選項。優化模式下，供電由華碩Bios自動優化并達到節能的目的；極致模式下，所有供電相位均衡輸出。建議在超頻情況下選擇極致模式。
VDDCR CPU供電相位切換頻率，B350Plus只有200和300二個選擇，不能輸入更高的值。一般建議超頻情況下，采用更高的切換頻率以提高超頻穩定性。
7、在AI Tweaker界面將光標移動到內存時序控制子菜單處，按回車或直接鼠標點擊，進入內存時序設置界面：
3803之前Bios版本時，第一項為內存失敗重啟次數。3803版本開始，該子項被調整到內存時序控制最后面的位置。
內存時序控制從上到下的tCL-tRCDRD-tRCDWR-tRP-tRAS-tRC為第一時序。華碩Prime B350-Plus主板不接受奇數值的tCL值，設置tCL15時，Bios和操作系統將最終會識別為tCL16。
第一時序有二個設定小原則：tRAS不得小于tCL與tRCD之和，一般經驗是在tCL與tRCD之和的基礎加上0~2；tRC不得小于tRP與tRAS之和，一般經驗是在tRP與tRAS之和的基礎上加上1-3。例如我使用的16-19-19-36-59，或者某雞的14-14-14-28-43。
下面的tRRDS開始屬于第二時序，在B350Plus主板上，tRRDS和TRRDL可以使用主板自動值，或者在自動值上減1使用；tFAW可以使用主板自動值，或者根據內存體質適當縮減，但不得小于tRRDS的4倍值。
8、tWTRS、tWTRL、tWR可以使用主板默認值，或者適當縮減。理論上tWR縮減至tWTRL相同值時，內存性能有所提高，但體質較差的內存為確保穩定性時，tWR建議使用主板默認值。
tRCPage自動即可，一般默認為0。
tRDRD SCL和tWRWR SCL這二個值對內存讀寫性能影響非常大，增加或減少1個數字都可以有5~10%的讀寫帶寬性能損失或提高。一般在確保內存穩定性的前提下，大多內存這二個值可以在3333頻率以下壓縮到4，B-Die之流的可以壓縮到2。
tRFC/2/4可以在主板默認的基礎上適當壓縮以略微提高內存帶寬，但壓縮過度時會造成開機多啟甚至無法啟動。tRFC、tRFC2、tRFC4在大多情況下是35：26：16的比例，具體可以查看內存信息確定。貌似tRFC2/4對AM4主板并無作用。
tCWL開始應為第三時序，tCWL在一般經驗上的做法是等同于tCL或在tCL基礎上減1。tRTP直接使用主板默認值。
tRDWR一般設置為6或7，后面的第三時序參數在3333頻率以下大多內存可以直接使用上圖的值，除了tCKE。一般內存體質較好的，tCKE應盡可能設置為1，體質較弱的自行提高tCKE值，以過MT測試300%以上無錯誤為準。
9、貌似在AM4平臺上，指令比率Command Rate設為1T或2T對穩定性并無太多影響，但設為1T時，內存性能比在2T下還是有一定幅度的提升。
若設為2T系統更穩定的，應先將Gear Down Mode設置為Enabled，否則將無法將CR設置成2T。
Power Down Enabled應為內存的節能選項，關閉即可。
因本人對ProcDOT，Rtt終端電阻等沒研究，所以這里也不多說了，個人習慣這些都扔在自動上。從網上流傳的一些說法，這些阻值的設定，在3803Bios以前和3803時并不一樣，具體有什么影響，可能因為主板、U、內存的個體不同都不會一樣。
Mem Over Clock Faile Count”內存超頻失敗重啟次數“，前面提過這個Bios參數，3803Bios以前這個參數在內存時序控制第一個，3803以后就跑到這個位置了。
3803版本Bios開始，內存時序控制增加了CLDO_VDDP Voltage設置，Bios里可設置的最小值為700mV，最大我曾經設置到985mV，具體最高限值是多少不太了解了。
據傳，該參數需要冷啟動方可生效，但在內存跑MT測試時出現偶爾錯誤時，調整一個合適的CLDO_VDDP Voltage值將會有奇效。不同U和內存可能這個合適的值都不一樣，需要玩家一點點的測試。按照AMD內部人員的說法是，提高這個電壓對穩定性有幫助，但按照Overclock論壇的說法，700mV的下限可能都嫌高，625-630mV才是最適合的。
以下還有高級、監控、啟動、工具設置，大家根據需求設置即可，如果這篇文章的方法能幫到你，那就收藏白云一鍵重裝系統網站，在這里會不定期給大家分享常用裝機故障解決方法。
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華碩主板Bios設置
設置Bios方法
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